5月25日，中國南車大功率IGBT產業化基地奠基，標志著我國首條8英寸IGBT芯片生產線項目正式啟動。項目設計年產8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只，中國南車成為國內唯一掌握IGBT芯片設計—芯片制造—模塊封裝—系統應用完整產業鏈企業，填補了國內相關技術領域的空白。

　　IGBT（新型功率半導體器件——絕緣柵雙極型晶體管）是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、電力電子、新能源汽車等戰略性產業領域，是節能技術和低碳經濟的主要支撐，被業界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經濟的“核芯”。目前國內IGBT的主要供應商為外國廠商，為支持我國企業技術突圍，IGBT成為國家產業政策重點支持和扶植的重大科技項目。

　　中國南車大功率IGBT產業化基地建設項目，由中國南車株洲所具體實施，項目總投資14億元，占地160畝，預計2013年正式投產。建成后，該基地將具備年產12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產值超過20億元，其產業規模和技術實力均超過國內已有水平，達到國際領先水平（目前世界主流IGBT芯片生產線為6英寸）。屆時，中國南車將完全自主實現電力電子器件技術及產業跨越式發展，躋身世界大功率IGBT器件技術及產業化一流梯隊。

　　中國南車大功率IGBT產業化基地除建設一條國際領先的8英寸IGBT芯片生產線外，還將建設9條滿足不同行業用的IGBT模塊生產線。產品電壓等級從600伏到6500伏，滿足軌道交通以及電動汽車、風力發電、太陽能發電、智能電網、高壓變頻、工業傳動等多個行業需求，成為我國首個完全依靠自主能力建設的、設計規模最大、技術實力最強、產品型譜最全的大功率IGBT產業化基地，改變核心技術受制于人，產品依賴進口的不利局面，為建設資源節約型和環境友好型社會，促進國民經濟快速健康發展做出重要貢獻。

　　由于IGBT生產對制造環境要求非常苛刻，該產業化基地配置了5000平方米的高標準凈化廠房,配套設施如空氣凈化系統、濕溫度控制系統、純水處理系統都將采用世界一流的技術裝備。基地引進國際一流的生產工藝，配套IGBT芯片制造、封裝測試、可靠性試驗全套設備，形成集IGBT產品設計、芯片制造、模塊封裝測試、可靠性試驗、系統應用等成套技術的研究、開發及產品制造于一體，自動化、專業化和規模化程度領先的大功率IGBT產業化基地。

　　中國南車IGBT技術研發，產品設計、制造與銷售都面向全球布局。2010年，中國南車在海外成立功率半導體研發中心，負責承擔電力電子器件中長期戰略項目和重大項目的技術跟蹤、研究和開發，專門從事高壓IGBT芯片技術研究和新一代IGBT器件開發，支撐并引領公司大功率半導體器件產業的可持續發展，縮短與國際最先進水平的差距。

　　早在“十一五”，中國南車就在國內率先啟動“高壓IGBT元件研制”，并先后獲得國家多項科研經費支持。2009年，中國南車在株洲所建立了國內第一條小批量大功率IGBT模塊封裝線，目前自主生產的大功率IGBT器件已在國內部分地鐵及機車上裝車試運營，產品性能同等于國外產品。

　　據悉，軌道交通、新能源、電動汽車等綠色經濟產業在未來十年甚至更長的時間里將保持每年20-30%的高速增長，作為綠色經濟的功率“核芯”，IGBT市場發展前景十分光明。