中國電科搶占碳化硅材料與器件制造設(shè)備市場先機(jī)
中國電科搶占碳化硅材料與器件制造設(shè)備市場先機(jī)

文章來源:中國電子科技集團(tuán)公司 發(fā)布時間:2013-08-30
近日,由中國電子科技集團(tuán)48所、2所、55所共同申請的國家科技部“863”前沿技術(shù)項目已獲批,該項目的主要目的是為高壓碳化硅電力電子器件的制造提供關(guān)鍵設(shè)備和工藝,其中包括4-6寸碳化硅單晶生長爐、碳化硅外延生長爐和碳化硅高溫高能離子注入機(jī)的研發(fā)。
當(dāng)前正值我國大力開展科技創(chuàng)新推動產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的新時期,碳化硅制造設(shè)備已被列入國家《新材料產(chǎn)業(yè)“十二五”發(fā)展規(guī)劃》重點(diǎn)產(chǎn)品目錄,碳化硅材料和器件的科研也已納入電力電子行業(yè)“十二五”規(guī)劃。項目獲批,對中國電科搶占SiC裝備市場的先機(jī)奠定了堅實(shí)基礎(chǔ)。