9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，中國最大的大尺寸功率半導體器件研發及產業化基地在中國南車正式投產。這將加速推動國產化大功率半導體器件產業化進程。

　　大尺寸功率半導體器件（晶閘管、IGBT、IGCT均屬于大尺寸功率半導體器件）是變流器的關鍵元件，被譽為電力電子產品的“CPU”。其廣泛用于軌道交通、電力（高壓直流輸電、風力發電）、化工、冶煉等領域。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，進口價格十分昂貴，嚴重制約民族工業的快速發展。

　　近年來，隨著國民經濟快速發展，高壓直流輸電（HVDC）、高壓無功功率補償（SVC）、軌道交通、風力發電、工業變流等市場對大尺寸晶閘管、IGBT模塊以及IGCT的需求越來越旺盛和緊迫。為了滿足國民經濟發展對這些核心部件的急切需求，打破國外公司的市場壟斷，推動大功率半導體產業上水平、上規模，中國南車旗下的株洲南車時代電氣股份有限公司（南車時代電氣）依托公司良好的技術基礎，總投資近3.5億元，于 2006年年底啟動大尺寸功率半導體器件研發及產業化基地的建設，歷經22個月，實現正式投產。

　　該生產基地總面積超2萬平方米，部分凈化級別達到了100級，由于產品對生產環境的要求極其苛刻，配套設施如空氣凈化系統、溫濕度控制系統、純水處理系統等方面采用了世界一流的技術裝備，并完全采用了與國際接軌的生產設備和工藝；是目前亞洲自動化、專業化和規模化程度最高的功率半導體器件生產基地。

　　該基地主要生產5～6英寸全壓接高壓大電流雙極器件、IGCT及其配套二極管、IGBT封裝及測試。計劃于2013年全面達產，達產后將形成年產5萬只6英寸半導體器件的生產能力，年產值達6億元。此次已經完成大功率雙極器件的配套生產能力，具有重要戰略意義的核心元件IGBT封裝項目也正在實施，預計年底可以投產。

　　作為我國最早（上世紀60年代）開發大功率半導體器件的單位之一，南車時代電氣通過技術引進與自主創新相結合。已經發展成為我國最大的、也是我國鐵路機車大功率半導體器件研制造基地。目前，該公司具備生產電流200A到1000A、電壓600V到8500V等不同等級，集整流管、晶閘管、快速整流管、快速晶閘管、GTO、IGCT等多個等級的全系列產品。2006年10月，該公司成功研制出世界上最大直徑、最大電流電壓容量的6英寸晶閘管；2008年，該公司又成功收購加拿大半導體公司Dynex公司，成為國內第一家跨國收購的軌道交通裝備制造企業，實現了大功率半導體器件產業鏈的完善。目前該公司開發的6500V系列高壓晶閘管、5英寸7200V晶閘管等高端產品，多次中標國家實施的“西電東送”和“大區聯網”等高壓直流輸電項目，以及國內正在蓬勃發展的高壓無功功率補償（SVC）項目。